SJT 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)
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ID： |
EEB230CFD1504626A1E8F6ED64E0DDC7 |
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文件大小(MB)： |
0.83 |
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页数： |
12 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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UDC 621.3824323,L44,中华人民共和国国ネ标准,GB 10274—88,降为 SJ/T 11055-96,电子元器件详细规范,4csi03、4csi19、4CS119L 4csi22、4csi42和4csl421 型,硅高频双绝缘栅场效应晶体管,Detail specification for electronic component,High frequency silicon dual insulated-gate,field-effect transistor of,type 4csi03、4csi19、4CSl19h4csi22、4csi42 and 4CS1421,国家技术监憎局发君,ハャ华人民共和国気家标准,电子元器件详细规范,4csi 19型GB 10274—88,硅高频双绝缘栅场效应晶体管,Detail specification for electronic component,High frequency silicon dual insulated-gate,field-effect transistor of type 4csi19,本标准规定了 4csi19型硅高频双绝缘栅场效应晶体管的详细要求,本标准适用于4csi19型硅高频双绝缘栅场效应晶体管,本标准是参照GB 6219< 1GHz. 5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》制订的，符合,GB 4936.1《半导体分立器件总规范》!类的要求,中华人星共融康电子工业部1988-04-22批准,1,GB 10274—8J4,评定器件质量的根据丒 GB 4936.1 GB 10274-88,《半导体分立器件总规范》,N,4CS119型详细规范,订货资料丒:见本规范第7章,机械说明2筒略说明,外形标准:GB 7E81《半导体分立器件外形尺寸》,中代号E4—06A,外形图及引出端识别,N沟道双绝缘栅耗尽型场效应晶体管,半导体材料,P型硅,封装,纖料（非空腔）,应用,在VHF频段作高频放大用,注意,装配静电敏感器件应遵守预防措施キ,■ ■ ■ "■,3质也评定类别,I类,I 4.Omin .,tn,Ho ，寸,°JE,0,ヤ,10 lOmFa 参考数据,P to t=250mW,[Y2 1sl》25mS,G?>20dB,Idss分档 Q： 08—7.0mA,R$ 4.0~10mA,标志：见本规范第6章.,2,№№1,4.极限值（绝对最大额定值）,除非另有规定,らmb=25t,条文号名,4.1 环境温度,4.2 贮存温度,漏源电压,ー栅源电压,4",二栅源电压,漏极电流,沟道温度,482,耗散功率,GB 10274-8,称,MOV,皆,符 号,T amb,P$ tg,V DS,V Gis,V G2s,Id,Tck,Put,数 值,最小值最大值,单位,55 I +125,― 55 +125,15 V,V,V,30 mA,+ 125,250 mW,5电特性,检验要求见本规范第8章,条,文,号,び 性 和 条 件,党非另有规定,Tamb^25X）,ー栅正向漏泄电流,Vgis~ 8V T『25P,Vgis=6V T.= 100P,ー栅反向漏泄电流,Vds = Vgis-0,Vgis = "8V 1\=25P,Vgish-sV T.= 1GOP,5.1,二栅正向漏泄电流,Vg” = 8V T.= 25P,Vd3 = Vgis = 0,二栅反向漏泄电流,ー栅源截止电压,二栅源截止电压,V 6 V 1\=100七,Vg.S = -8V,VGiS=亠 3V,Ta = 25X3,Ta = 100X3,Vds = 10V VgiS~4V In==100 gA,Vds = 10V Vgis = 4V Id—100 nA,Igissf(幻,IgissR(n,Ig1SSR(2),IgiSSF(I),Ig?SSRH),JGvSSR(t),Vg!S(o f f),VgiSCo1 0,iGiSSP(i),符 号,Ig1SSF(I),数 值单,位,检验组别,最小值最大值,20 nA A 2b,1 0.2,J,nA C2b,20 nA A2b,0.2 nA C2b,■,20 nA A2b,0.2 pA C2b,20 nA A 2b,0.2 ji A C2b,-3,V A 2b,-3,5.2,3,GB 10274—,条,义,号,特 性 和 条 件,除非另有规定,T.mb = 25七,数 值单,检验组别,符 号,最小值最大值位,5.3 漏极电流Vds^IOV, Vgis = 0, 4V Idss^ 0.8,4,7,10,mA A 2b,5.4 正向跨导Vds=Z0V, Ii>=10rnA,Vg?ss = 4V, f=lkHz,25 mS A3,5.5 噪声系数Vds = 8Vえ1D=8mA F 3 dB A4,5.6 功率增益,■,f=200MHz, Vg.S = 3V,1,Gp 1 20 dB C2a,5.7,输入电容V ds= 10V,Vgis=15V,V g.s=-5V,fnlMHz,Cuss 6.5,输出电容. Cb iSS 2.2 pF C2a,反向传输电容,H,ClsSS 0.05,5.8 漏源反向截止电流Vgis = ~5V, Vg.s = O, Vds=15V Idsx 50 hA A2b,6标志,6.1 器件上的标志,a.简略型号,F2,b. 1ゆ分档（按本规范5.3条）,6.2 包装盒上的标志,a. 型号（和简略型号）和质量类别J,b.制造厂名称和代号或商标:,c.检验批识别代码事,d.【dss分档,“防潮”、……
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